Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 621.385.833 Автор(ы) : Рау Э.И., Гостев А.В., Чжу, Шичу, Пханг Д., Чан Д., Тхонг Д., Вонг В. Заглавие : Сравнительный анализ методов растровой электронной микроскопии полупроводников : электронно-индуцированного потенциала, одноконтактного наведенного тока, термоакустического детектирования Место публикации : Микроэлектроника. - 2001. - Т.3. - С. 4.-С.243-256.-Библиогр.:28 назв. УДК : 621.385.833 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): электронная микроскопия полупроводников(методы)--полупроводники(методы электронной микроскопии)--электронно-индуцированного вотенциала метод--одноконтактного наведенного тока метод--термоакустического детектирования метод Экземпляры :чзN2(1) Свободны : чзN2(1) Доп.точки доступа: Рау, Э.И. Гостев, А.В. Чжу, Шичу Пханг, Д. Чан, Д. Тхонг, Д. Вонг, В.