Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 621.382 Автор(ы) : Аверкин С.Н., Валиев К.А., Наумов В.А., Калинин А.В., Кривоспицкий А.Д., Орликовский А.А., Рылов А.А. Заглавие : Некоторые применения микроволнового источника плотной плазмы в субмикронной технологии кремниевых интегральных схем Место публикации : Микроэлектроника. - 2001. - Т.3. - С. 3.-С.183-188.-Библиогр.:14 назв. УДК : 621.382 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): субмикронная технология кремниевых интегральных схем--интегральные схемы кремниевые(субмикронная технология)--микроволновой источник плотной плазмы(применение)--охлаждение тонких слоев sio2--заполнение субмикронных канавок--субмикронные канавки(заполнение)--тонкие слои sio2(охлаждение)--локальная планаризация поверхности ис--травление глубоких"тренчей"в диэлектрике--диэлектрик(травление"тренчей") Экземпляры :чзN2(1) Свободны : чзN2(1) Доп.точки доступа: Аверкин, С.Н. Валиев, К.А. Наумов, В.А. Калинин, А.В. Кривоспицкий, А.Д. Орликовский, А.А. Рылов, А.А.