Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 621.317.733.011.4 Автор(ы) : Алтухов А.А., Митягин А.Ю. Заглавие : Перспективные структуры "кремний - на - диэлектрике" КМОПИС на основе эпитаксиальных слоев Si/CaF2/Si Место публикации : Микроэлектроника. - 2001. - Т.3. - С. 2.-С.113-118.-Библиогр.:14 назв. УДК : 621.317.733.011.4 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): технология"кремний-на-диэлектрике"(кмопис)--молекулярно-лучевой эпитаксии метод--гетероструктуры si-caf2-si(использование)--тестовые структуры мдп-"кремний-на-диэлектрике"-транзистора Экземпляры :чзN2(1) Свободны : чзN2(1) Доп.точки доступа: Митягин, А.Ю.