Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 621.382 Автор(ы) : Урицкий В.Я., Крылов А.П., Борисов С.Е. Заглавие : Фундаментальная модификация слоя затворного диоксида кремния, вызванная материальным геттерированием электрически активных центров Место публикации : Микроэлектроника. - 2000. - Т.2. - С. 6.-С.466-470.-Библиогр.:12 назв. УДК : 621.382 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): моп-транзисторы кремниевые--модификация слоя затворного диэлектрика--латерального геттерирования ионизированных донорных центров метод Экземпляры :чзN2(1) Свободны : чзN2(1) Доп.точки доступа: Крылов, А.П. Борисов, С.Е.