Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 621.315.592 Автор(ы) : Старков В.В., Старостина Е.А., Вяткин А.Ф., Горбатов Ю.Б. Заглавие : Формирование локальных диэлектрических областей в Si-Si/Ge-структурах имплантацией и последующим неоднородным химическим травлением Место публикации : Микроэлектроника. - 2000. - Т.2. - С. 5.-С.333-338.-Библиогр.:12 назв. УДК : 621.315.592 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): интегральные микросхемы(изоляция элементов)--аморфные пористые пленки--неоднородное химическое травление--диэлектрические области локальные(формирование) Экземпляры :чзN2(1) Свободны : чзN2(1) Доп.точки доступа: Старков, В.В. Старостина, Е.А. Вяткин, А.Ф. Горбатов, Ю.Б.