Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 621.382 Автор(ы) : Аливов Я.И., Грузинцев А.Н. Заглавие : Механизм гистерезиса на вольт-яркостсной характеристике светоизлучающих МДПДМ-структур на основе ZnS:Mn Место публикации : Микроэлектроника. - 2000. - Т.2. - С. 3.-С.211-216.-Библиогр.:9 назв. УДК : 621.382 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): гистерезиса явление(в мдпдм-структурах)--электролюминесцентные тонкопленочные структуры(гистерезис) Экземпляры :чзN2(1) Свободны : чзN2(1) Доп.точки доступа: Грузинцев, А.Н.