Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 621.03.049.77 Автор(ы) : Бибилашвили А.П., Вепхвадзе М.Т., Герасимов А.Б. Заглавие : Влияние условий плазменного анодирования арсенида галлия на свойства их собственных оксидов Место публикации : Микроэлектроника. - 2000. - Т.2. - С. 2.-С.127-135.-Библиогр.:14 назв. УДК : 621.03.049.77 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полупроводниковые приборы на gaas(оптимизация технологических процессов)--арсенид галлия(использование при изготовлении имс)--арсенид галлия(анодирование плазменное) Экземпляры :чзN2(1) Свободны : чзN2(1) Доп.точки доступа: Вепхвадзе, М.Т. Герасимов, А.Б.