Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 621.315.592:546 Автор(ы) : Галиев Г.Б., Мокеров В.Г., Волков В.Ю., Имамов Р.М., Слепнев Ю.В., Хабаров Ю.В. Заглавие : Особенности молекулярно-лучевой эпитаксии GaAs на подложках с ориентацией (111)А,(111)В Место публикации : Радиотехника и электроника. - 1999. - Т.4. - С. 11.-С.1360-1361.-Библиогр.:13 назв. - (Наноэлектроника) УДК : 621.315.592:546 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): эпитаксия молекулярно-лучевая(особенности)--эпитаксиальные пленки(исследование структурных свойств)--эпитаксиальные пленки(исследования формы спектров люминесценции)--подложки(110),(111)а,(111)в(эпитаксиальных пленок) Экземпляры :чзN2(1) Свободны : чзN2(1) Доп.точки доступа: Галиев, Г.Б. Мокеров, В.Г. Волков, В.Ю. Имамов, Р.М. Слепнев, Ю.В. Хабаров, Ю.В.