Алтухов, А. А. Перспективные структуры "кремний - на - диэлектрике" КМОПИС на основе эпитаксиальных слоев Si/CaF2/Si [Текст] / Алтухов А.А., Митягин А.Ю. // Микроэлектроника. - 2001. - Т.3. - 2.-С.113-118.-Библиогр.:14 назв.
Кл.слова (ненормированные): Технология"кремний-на-диэлектрике"(КМОПИС) -- Молекулярно-лучевой эпитаксии метод -- Гетероструктуры Si-CaF2-Si(использование) -- Тестовые структуры МДП-"кремний-на-диэлектрике"-транзистора Доп.точки доступа: Митягин, А.Ю. |