Тонкопленочные многослойные датчики магнитного поля на основе анизотропного магниторезистивного эффекта [Текст] / С. И. Касаткин и[ др.] // Микроэлектроника. - 2000. - Т.2. - 2.-С.149-160.-Библиогр.:8 назв.
Кл.слова (ненормированные): Датчики магнитного поля(тонкопленочные магниторезистивные) -- Микроэлектроника(новые технологии) -- Магниторезистивные датчики магнитного поля(характеристики) Доп.точки доступа: Касаткин, С.И. Муравьев, А.М. Васильева, Н.П. Лопатин, В.В. Попадинец, Ф.Ф. Сватков, А.В. |