Особенности молекулярно-лучевой эпитаксии GaAs на подложках с ориентацией (111)А,(111)В [Текст] / Г. Б. Галиев и [др.] // Радиотехника и электроника. - 1999. - Т.4. - 11.-С.1360-1361.-Библиогр.:13 назв. - (Наноэлектроника)
Кл.слова (ненормированные): Эпитаксия молекулярно-лучевая(особенности) -- Эпитаксиальные пленки(исследование структурных свойств) -- Эпитаксиальные пленки(исследования формы спектров люминесценции) -- Подложки(110),(111)А,(111)В(эпитаксиальных пленок) Доп.точки доступа: Галиев, Г.Б. Мокеров, В.Г. Волков, В.Ю. Имамов, Р.М. Слепнев, Ю.В. Хабаров, Ю.В. |