Васильев, В. Ю. Тенденции развития технологии и аппаратуры химического осаждения тонких диэлектрических слоев на основе диоксида кремния в микроэлектронике. Часть II.Заполнение узких зазоров осажденным материалом [Текст] / Васильев В.Ю. // Микроэлектроника. - 1999. - Т.2. - 3.-С.183-192.-Библиогр.:22 назв.
Кл.слова (ненормированные): Микроэлектроника полупроводниковая(технология) -- Осаждение тонких диэлектрических слоев(заполнение зазоров) |