А 44 Акчурин, Р. Х. МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники [Электронный ресурс] / Р. Х. Акчурин, А. А. Мармалюк. - Москва : Техносфера, 2018. - 488 с. - ISBN 978-5-94836-521-3 : Б. ц.
Кл.слова (ненормированные): эбс лань Аннотация: В книге рассмотрены теоретические и практические аспекты МОС-гидридной эпитаксии (МОСГЭ) - одного из наиболее гибких и производительных современных методов получения полупроводниковых структур. Кратко изложены физико-химические основы метода, приведено описание высокопроизводительного технологического оборудования для реализации МОСГЭ и методов контроля роста эпитаксиальных слоев in situ, затронуты вопросы моделирования процессов. Практические аспекты реализации метода подробно рассмотрены на примере формирования эпитаксиальных структур полупроводников AIirBV, AirBVI и твердых растворов на их основе - основных материалов современной оптоэлектроники и ИК-техники. Значительное внимание уделено формированию наноразмерных эпитаксиальных структур и гетероструктур на основе нитридов элементов III группы, технология которых получила стремительное развитие в последние годы. Рассмотрены вопросы адаптации метода МОСГЭ к получению ряда новых материалов электронной техники. Книга предназначена специалистам в области технологии полупроводниковых материалов, может быть полезна аспирантам и студентам соответствующих специальностей. Перейти к внешнему ресурсу ЭБС Лань. Доступ до 31.08.2024 Доп.точки доступа: Мармалюк, А. А. |